鉄鋼および冶金産業向けの高シック純度炭化ケイ素

ブランド Hengqiao

製品の産地山東省

納入時間支払い確認後15-30日

供給能力 20万トン/月

スイッチング周波数の向上: セラミック炭化ケイ素トランジスタのフォームファクターが小さくなり、その結果としてスイッチング周波数が高くなることで、EV バッテリーの充電に使用されるようなパワーコンバーターで使用する、軽量で安価なインダクタやコンデンサの設計が可能になります。

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鉄鋼および冶金産業向けの高シック純度炭化ケイ素

製品説明

アイテム	SIC	Fe2O3	Al2O3	フリーカーボン	水分	サイズ(んん)
本社-SIC-01	90%以上	最大1.5%	最大1.5%	最大3.5%	0.5%以下	1-5/1-10
本社-SIC-02	90%以上	最大1.5%	最大1.5%	最大3.5%	0.5%以下	0-10
本社-SIC-03	88%以上	最大1.5%	最大1.5%	最大3.5%	0.5%以下	0-1/1-10
本社-SIC-04	98%以上	0.6%以下	0.6%以下	0.2%以下	0.5%以下	0-1/1-3
本社-SIC-05	70%以上	最大2%	最大1%	最大10%	0.5%以下	1-10
ご要望に応じて特殊な粒子サイズをカスタマイズできます。

SiC はシリコンよりもはるかに高い温度 (多くの場合最大 400 ℃、場合によっては最大 800 ℃) で動作することができるため、大幅な性能低下なしに極端な条件に対応できる、より効率的な電子デバイスが可能になります。この優れた機能は、&注意;SiCの高い熱伝導率&注意;そしてその&注意;電荷キャリアの固有濃度が低い。熱伝導率が高いということは、セラミック炭化ケイ素トランジスタが同等のシリコンチップよりもはるかに小さいヒートシンクを使用できるか、同等のヒートシンクを使用してはるかに多くの熱に耐えることができることを意味します。室温での電荷キャリアの濃度が低いということは、高純度 SIC が、熱で解放された電子が固有の電荷キャリアに追加され、トランジスタがフラッディングして「オン」位置 (導通状態) にロックされる前に、より大きな電気負荷に耐えることができることを意味します。

Reractory material silicon carbide